Transistor de Potencia MOSFET / 70W / VHF 135-175 MHz / UHF 450-530 MHz / 40V / 20A

Name: Transistor de Potencia MOSFET / 70W / VHF 135-175 MHz / UHF 450-530 MHz / 40V / 20A
SKU: RD70HUF2
Price: 1963.99 MXN
Availability: InStock

Modelo RD70HUF2 SKU 163586

$1,963.99 IVA incluido · precio en pesos mexicanos Envío GRATIS a todo México* *Excepto equipo pesado o voluminoso, pedidos muy grandes y códigos postales con recargo o a donde no llegan Estafeta ni FedEx. Ves el costo antes de pagar.

Disponible

Existencia revisada con el almacén en las últimas horas. Se aparta cuando se acredita tu pago.

Cantidad

Ir a pagar

Máximo 50 piezas por pedido. Para más, cotizamos por volumen.

Tienes dudas de compatibilidad? Pregúntanos por WhatsApp

Factura CFDI 4.0
Pago seguro: transferencia u OXXO
Envío GRATIS a todo México* *Excepto equipo pesado o voluminoso, marcado en la tienda
Garantía de fábrica: 12 meses
Ayuda por WhatsApp 662 348 7876

Cuánto me sale el envío?

Envío GRATIS con Estafeta o FedEx*. DHL express es opcional y se cobra.

Son 5 dígitos. Lo guardamos para que no lo vuelvas a escribir.

Pago seguro. Tus datos de pago nunca pasan por nuestra página.

Pagas como puedas.Transferencia SPEI (sin comisión) y efectivo en OXXO hasta $10,000. Tarjeta próximamente.
Factura CFDI 4.0 a tu RFC: la pides al comprar, con tus datos fiscales, y te la mandamos por correo dentro de los 3 días hábiles siguientes a que se acredita tu pago.
Envío GRATIS a todo México*.Envío con número de guía a todo México. Si la paquetería lo extravía, nosotros levantamos la reclamación y te devolvemos tu dinero.
Garantía de fábrica de 12 meses como mínimo, gestionada por nosotros: tú no tramitas nada con el mayorista.
Tienes 5 días hábiles desde que recibes para cancelar tu compra, sin dar explicaciones, y te devolvemos el precio pagado (art. 56 LFPC).

Tu pedido se envía directo desde el almacén de nuestro mayorista aliado. La caja puede traer su marca; tu factura, garantía y soporte son con nosotros.

Equipo original adquirido en el canal oficial de distribución en México · Eduardo Isaí Laborín Marín · RFC LAME9902257C8

Características

Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
Diodo integrado de protección para la puerta
Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
Disipación térmica de canal de 300W
Resistencia térmica de 0.5°C/W
Empaque en cinta y carrete de 500 unidades

Descripción

Este transistor de potencia MOSFET está diseñado para aplicaciones de amplificación RF en bandas VHF y UHF, ofreciendo una solución robusta para sistemas de comunicación de alta potencia. Su arquitectura optimizada permite alcanzar una eficiencia del drenaje de hasta 74% en la banda de 175 MHz, reduciendo significativamente las pérdidas térmicas y mejorando la confiabilidad del sistema. La integración de un diodo de protección para la puerta simplifica el diseño del circuito driver y protege contra sobretensiones transitorias. Con capacidad de disipación de 300W y resistencia térmica de 0.5°C/W, este dispositivo soporta condiciones de operación exigentes en amplificadores de transmisión profesionales.