Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD

Name: Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD
SKU: MRF-1517-T1
Price: 1164.99 MXN
Availability: InStock

Modelo MRF-1517-T1 SKU 24113

$1,164.99 IVA incluido · precio en pesos mexicanos Envío GRATIS a todo México* *Excepto equipo pesado o voluminoso, pedidos muy grandes y códigos postales con recargo o a donde no llegan Estafeta ni FedEx. Ves el costo antes de pagar.

Disponible

Existencia revisada con el almacén en las últimas horas. Se aparta cuando se acredita tu pago.

Cantidad

Ir a pagar

Máximo 50 piezas por pedido. Para más, cotizamos por volumen.

Tienes dudas de compatibilidad? Pregúntanos por WhatsApp

Factura CFDI 4.0
Pago seguro: transferencia u OXXO
Envío GRATIS a todo México* *Excepto equipo pesado o voluminoso, marcado en la tienda
Garantía de fábrica: 12 meses
Ayuda por WhatsApp 662 348 7876

Cuánto me sale el envío?

Envío GRATIS con Estafeta o FedEx*. DHL express es opcional y se cobra.

Son 5 dígitos. Lo guardamos para que no lo vuelvas a escribir.

Pago seguro. Tus datos de pago nunca pasan por nuestra página.

Pagas como puedas.Transferencia SPEI (sin comisión) y efectivo en OXXO hasta $10,000. Tarjeta próximamente.
Factura CFDI 4.0 a tu RFC: la pides al comprar, con tus datos fiscales, y te la mandamos por correo dentro de los 3 días hábiles siguientes a que se acredita tu pago.
Envío GRATIS a todo México*.Envío con número de guía a todo México. Si la paquetería lo extravía, nosotros levantamos la reclamación y te devolvemos tu dinero.
Garantía de fábrica de 12 meses como mínimo, gestionada por nosotros: tú no tramitas nada con el mayorista.
Tienes 5 días hábiles desde que recibes para cancelar tu compra, sin dar explicaciones, y te devolvemos el precio pagado (art. 56 LFPC).

Tu pedido se envía directo desde el almacén de nuestro mayorista aliado. La caja puede traer su marca; tu factura, garantía y soporte son con nosotros.

Equipo original adquirido en el canal oficial de distribución en México · Eduardo Isaí Laborín Marín · RFC LAME9902257C8

Características

Alta ganancia de potencia de 11 dB
Eficiencia del 55% en operación RF
Operación estable hasta 520 MHz
Excelente estabilidad térmica integrada
Soporta VSWR 20:1 en condiciones extremas
Encapsulado SMD para montaje superficial

Descripción

Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie.