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Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07 modelo MRF433

Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07

Modelo MRF433 SKU 24137

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Equipo original adquirido en el canal oficial de distribución en México · Eduardo Isaí Laborín Marín · RFC LAME9902257C8

Características

  • Alta eficiencia en aplicaciones de radiofrecuencia
  • Rango de frecuencia optimizado para HF
  • Manejo de potencia de 12.5 watts continua
  • Voltaje colector-emisor de 12.5 Vcc
  • Encapsulado estándar para montaje simplificado
  • Silicio NPN para estabilidad térmica

Descripción

Transistor NPN de silicio diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia en el rango de alta frecuencia (HF). Opera eficientemente en el espectro de 2 a 30 MHz con una potencia de salida de 12.5 watts, ideal para etapas de potencia en transmisores, amplificadores de RF y equipos de comunicación. Su encapsulado estándar 211-07 facilita la integración en diseños existentes y nuevos desarrollos de equipos de telecomunicaciones.

Características principales

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia de operación: 2 a 30 MHz
  • Potencia máxima de salida: 12.5 watts
  • Voltaje colector-emisor: 12.5 Vcc
  • Encapsulado estándar 211-07 para montaje simplificado
  • Alta eficiencia en operación de radiofrecuencia

Especificaciones técnicas

Tipo
Transistor de silicio NPN
Rango de frecuencia
2 - 30 MHz
Voltaje colector-emisor
12.5 Vcc
Potencia de salida
12.5 W
Encapsulado
211-07

Fichas técnicas y manuales

Descarga la documentación del fabricante antes de comprar. Si algo no coincide con tu instalación, escríbenos y lo revisamos contigo.

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