Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB

Name: Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB
SKU: MRF475
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Equipo original adquirido en el canal oficial de distribución en México · Eduardo Isaí Laborín Marín · RFC LAME9902257C8

Características

Operación hasta 30 MHz para amplificación RF
Potencia de salida de 10 W con alta eficiencia del 40%
Ganancia de potencia de 10-12 dB en banda HF
Paquete TO-220AB con disipación térmica optimizada
Rango de temperatura operativa -65°C a +150°C
Configuración emisor común para diseño simplificado

Descripción

Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C/W.

Características Principales

Transistor NPN de potencia RF en silicio
Frecuencia operativa hasta 30 MHz
Tensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal
Corriente máxima de colector: 4.0 A
Potencia de salida: 10 W
Paquete TO-220AB con configuración emisor común

Especificaciones Técnicas

Máximos Ratings Absolutos

Corriente de colector (I_C)	4.0 A
Tensión colector-emisor (V_CE)	18 V
Tensión colector-base (V_CB)	48 V
Disipación de potencia (P_D)	10 W @ T_C = 25°C
Temperatura de almacenamiento (T_STG)	-65°C a +150°C
Temperatura de unión (T_J)	-65°C a +150°C

Características Térmicas

Resistencia térmica unión-carcasa (θ_J-C)

12.5°C/W

Características Eléctricas

BV_CEO @ I_C = 20 mA	18 V
BV_CES @ I_C = 50 mA	48 V
BV_EBO @ I_E = 5.0 mA	4.0 V
I_CBO @ V_CB = 25 V	1.0 mA
h_FE @ V_CE = 5.0 V, I_C = 500 mA	30-60
C_OB @ V_CB = 13.6 V, f = 1.0 MHz	125-145 pF
Ganancia de potencia (G_P)	10-12 dB
Eficiencia (η) @ P_OUT = 12 W PEP, V_CC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, I_CQ = 300 mA	40%
Distorsión de intermodulación (IMD)	-30 dB