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Transistor NPN Epitaxial de Silicio / 27 MHz / 12 Vcc / 13 W / Encapsulado T-30E modelo 2SC3133

Transistor NPN Epitaxial de Silicio / 27 MHz / 12 Vcc / 13 W / Encapsulado T-30E

Modelo 2SC3133 SKU 4200

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Equipo original adquirido en el canal oficial de distribución en México · Eduardo Isaí Laborín Marín · RFC LAME9902257C8

Características

  • Alta eficiencia en amplificación de radiofrecuencia
  • Operación estable hasta 27 MHz
  • Disipación térmica optimizada con encapsulado T-30E
  • Reemplazo directo compatible con modelo 2SC1945
  • Potencia de salida de 13 watts para aplicaciones exigentes
  • Voltaje máximo de 12 Vcc para circuitos de baja tensión

Descripción

Transistor NPN epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Ofrece alta eficiencia energética con operación estable hasta 27 MHz, ideal para equipos de comunicación y transmisores. Su encapsulado T-30E garantiza disipación térmica optimizada, permitiendo manejar 13 watts de potencia de salida de forma confiable. Es compatible como reemplazo directo del modelo 2SC1945, facilitando mantenimiento y actualización de equipos existentes.

Características principales

  • Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
  • Frecuencia de operación hasta 27 MHz
  • Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
  • Potencia de salida de 13 watts
  • Reemplazo directo para modelo 2SC1945
  • Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada

Especificaciones técnicas

Tipo
NPN Epitaxial de Silicio
Frecuencia máxima
27 MHz
Voltaje máximo
12 Vcc
Potencia de salida
13 W
Encapsulado
T-30E
Compatibilidad
Reemplazo 2SC1945

Fichas técnicas y manuales

Descarga la documentación del fabricante antes de comprar. Si algo no coincide con tu instalación, escríbenos y lo revisamos contigo.

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