Resistencia SMD / 261 Ω / 1% / 1/10 W / 805-2125 / -55°C a +125°C
Modelo 292-261-RC
Modelo B2114 SKU 79186
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Equipo original adquirido en el canal oficial de distribución en México · Eduardo Isaí Laborín Marín · RFC LAME9902257C8
Este transistor de potencia MOSFET de canal N lateral está diseñado para aplicaciones de RF en equipos de comunicación móvil FM, amplificadores de señal RF, y sistemas industriales y comerciales. Ofrece una potencia de salida de 70 W a 470 MHz con una ganancia de 11.5 dB, operando eficientemente con una tensión de alimentación de 12.5 VDC. Su arquitectura garantiza estabilidad térmica excelente y tolerancia excepcional ante desajustes de impedancia, soportando relaciones VSWR de hasta 20:1 sin degradación.
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Modelo 292-261-RC
Modelo 43030-0001
Modelo P75KACTND
Modelo 260-100K-RC
Modelo WM1775-ND
Modelo A19433-ND
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